Samsung

Samsung 32GB 1x32GB 5600M Hz CL46 ECC

Ref. M321R4GA3PB0-CWM
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Características del producto

Identificación

Marca
Samsung
Referencia del fabricante
M321R4GA3PB0-CWM
GTIN
05715328206830
Referencia Elegiro
112710

El proveedor todavía no ha facilitado especificaciones técnicas adicionales.

Descripción

Memoria DDR5 Samsung 32GB 1x32GB 5600M Hz CL46 ECC El módulo de memoria RAM Samsung M321R4GA3PB0-CWM es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) DDR5 de 32 GB diseñada para ofrecer la máxima densidad, velocidad y fiabilidad en servidores empresariales y centros de datos de última generación. Basado en la arquitectura DDR5, este módulo incrementa drásticamente el ancho de banda y la eficiencia energética en comparación con las tecnologías de generación anterior. Funciona a una velocidad de reloj de 5600 M Hz con una configuración de doble rango (2Rx8) y opera a un voltaje reducido de solo 1,1 V. La tecnología Registered ECC integrada se encarga de supervisar y corregir automáticamente los errores de datos en tiempo real, evitando cuelgues del sistema y garantizando una estabilidad continua en cargas de trabajo de computación intensiva 24/7. Rendimiento DDR5 a 5600 M Hz: Ancho de banda de alta velocidad diseñado para acelerar entornos de virtualización, procesamiento de datos y servidores de alto rendimiento. Memoria Registrada ECC (RDIMM) 2Rx8: Búfer de registro e integridad de datos avanzada de doble rango para la estabilidad operativa en infraestructuras críticas. Alta Eficiencia de 1,1 V: Menor consumo de energía y menor generación de calor con chip PMIC de administración energética integrado en el módulo. Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes DRAM de primera categoría probados exhaustivamente para despliegues empresariales exigentes.

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