Samsung
Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MZ-V9V1T0BW
Ref. MZ-V9V1T0BW
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES, TCG Opal 2.0
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
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Características del producto
Identificación
- Marca
- Samsung
- Referencia del fabricante
- MZ-V9V1T0BW
- GTIN
- 08806099020699
- Referencia Elegiro
- 42585
Características
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES, TCG Opal 2.0
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- NVMe
- Si
- Tipo de memoria
- V-NAND
- Componente para
- PC
- Encriptación de hardware
- Si
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura
- 7150 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6450 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 700000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1100000 IOPS
- Carriles datos de interfaz PCI Express
- x4
- Función DevSleep
- Si
- Revisión PCI Express CEM
- 4.0
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Consumo de energía (lectura)
- 4 W
- Consumo de energía (escritura)
- 3,7 W
- Consumo de energía (espera)
- 0,055 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 3 mW
Peso y dimensiones
- Ancho
- 80,2 mm
- Profundidad
- 2,38 mm
- Altura
- 22,1 mm
Empaquetado
- Tipo de embalaje
- Caja
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
Datos adicionales
- weight
- 0.1
Descripción
Samsung 990. SDD, capacidad: 1 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6450 MB/s, Componente para: PC...