Samsung MZ-V9S1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC MZ-V9S1T0BW
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
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Características del producto
Identificación
- Marca
- Samsung
- Referencia del fabricante
- MZ-V9S1T0BW
- GTIN
- 08806095575674
- Referencia Elegiro
- 42582
Características
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- SDD, capacidad
- 1 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- NVMe
- Si
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- Componente para
- PC
- Encriptación de hardware
- Si
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura
- 7150 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 850000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1350000 IOPS
- Función DevSleep
- Si
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Consumo de energía (lectura)
- 4,3 W
- Consumo de energía (escritura)
- 4,2 W
- Consumo eléctrico promedio (lectura)
- 4,3 W
- Consumo eléctrico promedio (escritura)
- 4,2 W
- Consumo de energía (espera)
- 0,06 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 5 mW
Peso y dimensiones
- Ancho
- 80,2 mm
- Profundidad
- 2,38 mm
- Altura
- 80,2 mm
- Peso
- 9 g
Empaquetado
- Ancho del paquete
- 145 mm
- Profundidad del paquete
- 100 mm
- Altura del paquete
- 24 mm
- Peso del paquete
- 68 g
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
Datos adicionales
- weight
- 0.08
Descripción
ALMACENAMIENTO DE ALTO RENDIMIENTO PARA PC Y LAPTOP El Samsung MZ-V9S1T0 es un SSD de 1 TB que redefine la velocidad y la capacidad de almacenamiento para computadoras y laptops. Con un formato M.2, este dispositivo se integra fácilmente en una amplia gama de sistemas, ofreciendo una solución compacta y eficiente. Su impresionante velocidad de lectura de 7150 MB/s y velocidad de escritura de 6300 MB/s garantizan un rendimiento excepcional, permitiendo transferencias de datos rápidas y una carga instantánea de aplicaciones y juegos. TECNOLOGÍA AVANZADA NVME Y V-NAND TLC Equipado con tecnología NVMe y V-NAND TLC, el Samsung MZ-V9S1T0 no solo proporciona un almacenamiento rápido, sino que también asegura una mayor durabilidad y eficiencia energética. Esta combinación de tecnologías permite un acceso más rápido a los datos y una mejor gestión del calor, lo que prolonga la vida útil del SSD. Ideal para usuarios que buscan maximizar el rendimiento de sus dispositivos, este SSD es perfecto para tareas intensivas como edición de video, diseño gráfico y juegos de alta gama. ...