Samsung
Samsung MZ-V9S4T0 4 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND TLC MZ-V9S4T0BW
Ref. MZ-V9S4T0BW
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- SDD, capacidad
- 4 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
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Características del producto
Identificación
- Marca
- Samsung
- Referencia del fabricante
- MZ-V9S4T0BW
- GTIN
- 08806095575667
- Referencia Elegiro
- 42584
Características
- Versión NVMe
- 2.0
- Algoritmos de seguridad soportados
- 256-bit AES
- SDD, capacidad
- 4 TB
- Factor de forma de disco SSD
- M.2
- Interfaz
- PCI Express 4.0
- NVMe
- Si
- Tipo de memoria
- V-NAND TLC
- Componente para
- PC
- Encriptación de hardware
- Si
- Tamaño de la unidad SSD M.2
- 2280 (22 x 80 mm)
- Velocidad de lectura
- 7250 MB/s
- Velocidad de escritura
- 6300 MB/s
- Lectura aleatoria (4KB)
- 1050000 IOPS
- Escritura aleatoria (4KB)
- 1400000 IOPS
- Función DevSleep
- Si
- Soporte S.M.A.R.T.
- Si
- Soporte TRIM
- Si
- Tiempo medio entre fallos
- 1500000 h
Control de energía
- Voltaje de operación
- 3,3 V
- Consumo de energía (lectura)
- 5,5 W
- Consumo de energía (escritura)
- 4,8 W
- Consumo de energía (espera)
- 0,06 W
- Consumo de potencia DevSlp (modo sueño)
- 5 mW
Peso y dimensiones
- Ancho
- 80,2 mm
- Profundidad
- 2,38 mm
- Altura
- 80,2 mm
- Peso
- 9 g
Empaquetado
- Ancho del paquete
- 148 mm
- Profundidad del paquete
- 100 mm
- Altura del paquete
- 22 mm
- Peso del paquete
- 70 g
Condiciones ambientales
- Intervalo de temperatura operativa
- 0 - 70 °C
- Golpes en funcionamiento
- 1500 G
Datos adicionales
- weight
- 0.01
Descripción
Samsung MZ-V9S4T0. SDD, capacidad: 4 TB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7150 MB/s, Velocidad de escritura: 6300 MB/s, Componente para: PC...