Samsung 96GB 1x96GB 6400M Hz CL52 ECC RDIMM 1.1V

Descripción

Memoria DDR5 Samsung 96GB 1x96GB 6400M Hz CL52 ECC RDIMM 1.1V El módulo de memoria RAM Samsung de 96 GB DDR5 a 6400 M Hz es una solución de memoria registrada ECC (RDIMM) de alta densidad no binaria, diseñada para satisfacer las exigencias de rendimiento e integridad de datos en servidores empresariales y centros de datos avanzados. Cumpliendo con la especificación JEDEC PC5-51200R, ofrece un ancho de banda masivo y latencia optimizada CL52 para entornos de cómputo intensivo. Configurado con arquitectura de doble rango (2Rx4) y operando a un voltaje reducido de 1,1 V, integra tecnología Registered ECC para detectar y corregir errores monobit en tiempo real. Esto garantiza la máxima continuidad operativa e integridad del sistema en rangos térmicos exigentes (de 0 °C a 95 °C), siendo ideal para virtualización masiva, inteligencia artificial y analítica de datos 24/7. Rendimiento DDR5 a 6400 M Hz (PC5-51200R): Elevada tasa de transferencia con latencia CAS CL52 concebida para acelerar cargas de trabajo críticas. Capacidad No Binaria de 96 GB con Registro ECC 2Rx4: Módulo de doble rango con organización de chips x4 y búfer de registro para estabilidad del bus de datos. Eficiencia Térmica a 1,1 V: Bajo consumo energético con amplio rango operativo de temperatura (0 °C a 95 °C) para optimizar el perfil térmico del servidor. Calidad y Fiabilidad Samsung: Componentes de grado empresarial en formato de altura estándar (ETS) para máxima compatibilidad y durabilidad.